參數(shù)資料
型號： MUN5135T1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： Bias Resistor Transistor
中文描述： 偏置電阻晶體管
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大小： 132K
代理商： MUN5135T1
MUN5111T1 Series
http://onsemi.com
10
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5136T1
75
°
C
25
°
C
25
°
C
Figure 28. Maximum Collector Voltage versus
Collector Current
Figure 29. DC Current Gain
Figure 30. Output Capacitance
Figure 31. Output Current versus Input Voltage
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 32. Input Voltage versus Output Current
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
7
6
5
4
3
2
1
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1
100
10
1
0.01
1000
V
C
,
V
h
F
,
1.2
0.6
60
50
40
30
20
10
0
0
C
o
,
0.2
0.4
0.8
1.0
100
6
5
4
3
2
1
0
0.1
1
10
I
C
,
10
9
8
7
100
12
10
8
6
4
2
0
1
10
18
16
14
20
V
i
,
I
C
/I
B
= 10
75
°
C
25
°
C
T
A
= 25
°
C
V
CE
= 10 V
75
°
C
25
°
C
T
A
= 25
°
C
V
O
= 5 V
V
O
= 0.2 V
75
°
C
25
°
C
T
A
= 25
°
C
f = 1 MHz
I
E
= 0 V
T
A
= 25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MUN5137T1 DIODE ZENER SINGLE 300mW 24Vz 5mA-Izt 0.0579 0.1uA-Ir 16.8 SOT-23 3K/REEL
MUN5211DW1T1G Dual Bias Resistor Transistors
MUN5214DW1T1G Dual Bias Resistor Transistors
MUN5215DW1T1G Dual Bias Resistor Transistors
MUN5216DW1T1G Dual Bias Resistor Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MUN5135T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5136 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN5136DW 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN5136DW1T1 功能描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT363 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
MUN5136DW1T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SS SC88 BR XSTR PNP 50V - Tape and Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*