參數(shù)資料
型號: MTP50N06EL
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: JFETs
英文描述: TMOS POWER FET 50 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM
中文描述: 50 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù): 7/8頁
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代理商: MTP50N06EL
7
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 221A–06
ISSUE Y
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
STYLE 5:
PIN 1.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
2.
3.
4.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
MIN
0.570
0.380
0.160
0.025
0.142
0.095
0.110
0.018
0.500
0.045
0.190
0.100
0.080
0.045
0.235
0.000
0.045
–––
MAX
0.620
0.405
0.190
0.035
0.147
0.105
0.155
0.025
0.562
0.060
0.210
0.120
0.110
0.055
0.255
0.050
–––
0.080
MIN
14.48
9.66
4.07
0.64
3.61
2.42
2.80
0.46
12.70
1.15
4.83
2.54
2.04
1.15
5.97
0.00
1.15
–––
MAX
15.75
10.28
4.82
0.88
3.73
2.66
3.93
0.64
14.27
1.52
5.33
3.04
2.79
1.39
6.47
1.27
–––
2.04
MILLIMETERS
INCHES
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
1
2 3
4
D
SEATING
–T–
C
S
T
U
R
J
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTP50N06V TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM
MTP50N06VL TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.032 OHM
MTP52N06VL TMOS POWER FET 52 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.025 OHM
MTP52N06V TMOS POWER FET 52 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.022 OHM
MTP55N06 TMOS POWER FET 55 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 18 mohm
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MTP50N06V 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTP50N06V_L86Z 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTP50N06VL 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
MTP50P03HDL 功能描述:MOSFET 30V 50A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTP50P03HDLG 功能描述:MOSFET PFET T0220 30V 50A 25mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube