參數(shù)資料
型號(hào)： MTP4N50E
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 500 VOLTS RDSon = 1.5 OHMS
中文描述： 4 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 254K
代理商： MTP4N50E
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On–Region Characteristics
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 2. Gate–To–Source Threshold Voltage
Variation With Temperature
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Transfer Characteristics
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 4. Breakdown Voltage Variation
With Temperature
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 5. On–Resistance versus Drain Current
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 6. On–Resistance Variation
With Temperature
R
R
(
I
V
V
V
8
6
4
2
20
16
12
8
4
0
1.2
1.1
1
0.9
0.8
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
8
6
4
2
0
8
6
4
2
0
1.2
1.1
1
0.9
0.8
–50
0
50
100
150
2.8
2.4
1.2
0
10
8
6
4
2
0
2.5
0
–50
TJ = 25
°
C
7 V
6 V
5 V
VDS = VGS
ID = 0.25 mA
TJ = 100
°
C
–55
°
C
25
°
C
VGS = 0
ID = 0.25 mA
TJ = 100
°
C
25
°
C
–55
°
C
VGS = 10 V
VGS = 10 V
ID = 2 A
I
VGS = 10 V
VDS
≥
10 V
10
0
50
100
200
4 V
0
200
0.8
0.4
2
1.5
1
0.5
150
8 V
2
1.6
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PDF描述
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