參數(shù)資料
型號(hào)： MTP3055
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL 60V - 0.1ohm - 12A TO-220 STripFET MOSFET
中文描述： ? -通道60V的- 0.1ohm - 12A條，220 STripFET MOSFET的
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 160K
代理商： MTP3055
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
0.1
10
100
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
A
I
25
50
75
100
125
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25
°
C
ID = 12 A
1.0
150
t, TIME (s)
Figure 14. Thermal Response
r
T
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
1.0
100
0.1
0
75
25
10
1.0
0.1
0.01
1.0E–05
0.2
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.1
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
dc
100
μ
s
1 ms
10 ms
10
μ
s
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
50
0.02
175
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTP3055E N - CHANNEL 60V - 0.1ohm - 12A TO-220 STripFET MOSFET
MTP3055V TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.15 OHM
MTP3055VL TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.18 OHM
MTP3055VL N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
MTP30N06VL TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.050 OHM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MTP3055A 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB
MTP3055E 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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MTP3055V 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTP3055V 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
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