參數(shù)資料
型號(hào)： MTDF1P02HD
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： DUAL TMOS POWER MOSFET 1.6 AMPERES 20 VOLTS RDS(on) = 175 mOHM
中文描述： 1300 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大?。?/td> 232K
代理商： MTDF1P02HD
4
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 3. On–Region Characteristics
Figure 4. Transfer Characteristics
Figure 5. On–Resistance versus Drain Current
Figure 6. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 7. On–Resistance Variation with
Temperature
Figure 8. Drain–to–Source Leakage Current
versus Voltage
2.0
0
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
4.0
2.0
3.0
1.0
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
4.0
0
2.0
1.0
0
0
VGS, GATE–TO–SOURCE (VOLTS)
0.4
0.3
0.2
0.1
0
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
1.0
0
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
2.0
–25
25
–50
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
2.0
1.5
1.0
0.5
0
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
4.0
0
100
10
1.0
0.1
16
0
I
I
D
,
R
0
0.8
0.4
1.2
1.6
3.0
1.0
2.0
3.0
4.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
3.0
4.0
,
R
50
100
75
8.0
12
20
I
,
R
125
150
(
TJ = 25
°
C
VGS = 4.5 V
2.7 V
VGS = 4.5 V
ID = 0.8 A
25
°
C
100
°
C
TJ = 125
°
C
VGS = 0 V
ID = 1.6 A
TJ = 25
°
C
TJ = –55
°
C
100
°
C
25
°
C
VDS
≥
10 V
1.7 V
1.9 V
2.1 V
2.3 V
TJ = 25
°
C
2.5 V
2.7 V
2.9 V
3.1 V
VGS = 8
4.5 V
3.7 V
3.3 V
0.6
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PDF描述
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