參數(shù)資料
型號(hào): MTD20P06
廠商: Motorola, Inc.
英文描述: TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 175 MOHM
中文描述: TMOS是功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯電平15安培,60伏特的RDS(on)\u003d 175毫歐
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代理商: MTD20P06
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Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
r
(
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–02
t, TIME (s)
0.1
1.0
0.01
1.0E–03
1.0E–01
1.0E+00
Figure 14. Thermal Response
1.0E+01
0.1
0.05
0.2
D = 0.5
0.01
SINGLE PULSE
0.02
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTD20P03HDL TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 19 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.099 OHM
MTD20P06HDL TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 175 MOHM
MTD20N06V TMOS POWER FET 20 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM
MTD2955E TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM
MTD2N20 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MTD20P06HDLT4 功能描述:MOSFET P-CH 60V 15A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MTD214 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Ethernet Encoder/Decoder and 10BaseT Transceiver with Built-in Waveform Shaper
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MTD2955E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM