參數(shù)資料
型號(hào)： MTD1302
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET 20 AMPERES 30 VOLTS
中文描述： 20 A, 30 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 205K
代理商： MTD1302
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. On–Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On–Resistance versus
Drain Current and Temperature
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
Figure 6. Drain–To–Source Leakage
Current versus Voltage
1.0
0
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
5.0
10
40
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
0.01
–25
–50
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
3.0
2.0
1.0
0
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
5.0
20
1000
100
10
1.0
0.1
0
I
R
0
0.4
0.8
1.2
10
20
30
,
R
50
25
10
30
15
I
40
2.5
1.0
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
10
I
0
1.5
2.0
5.0
30
,
D
40
10
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
0.04
0.02
0.015
0.01
0.005
0
R
15
20
30
,
D
TJ = 100
°
C
–55
°
C
25
°
C
TJ = 25
°
C
15
20
25
30
35
0.2
0.6
1.8
1.6
2.0
1.4
4.5
3.0
3.5
20
15
5.0
25
15
25
35
0.02
0.03
25
35
0.035
0.03
0.025
25
TJ = 25
°
C
VGS = 3.0 V
4.0 V
TJ = 125
°
C
25
°
C
–55
°
C
VGS = 10 V
10 V
VGS = 4.5 V
ID = 10 A
VGS = 10 V
VDS
≥
10 V
TJ = 125
°
C
100
°
C
25
°
C
5.0 V
10 V
4.0
75
100
150
125
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