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參數(shù)資料
| 型號： | MT58L64V36P |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 64K x 36,Pipelined, SCD SyncBurst SRAM(2Mb，流水線式，單循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| 中文描述： | 64K的× 36，流水線，SCD的SyncBurst的SRAM（處理器，流水線式，單循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 16/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 487K |
| 代理商： | MT58L64V36P |
16
2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36 Pipelined, SCD SyncBurst SRAM
MT58L128L18P_2.p65 – Rev. 8/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36
PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM
TQFP THERMAL RESISTANCE
DESCRIPTION
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
CONDITIONS
SYMBOL
q
JA
TYP
40
UNITS NOTES
°C/W
Test conditions follow standard test methods
and procedures for measuring thermal
impedance, per EIA/JESD51.
1
Thermal Resistance
(Junction to Top of Case)
q
JC
8
°C/W
1
NOTE:
1. Typical values are measured at 3.3V, 25°C and 10ns cycle time.
2. Preliminary package data.
FBGA THERMAL RESISTANCE
DESCRIPTION
Junction to Ambient
(Airflow of 1m/s)
CONDITIONS
SYMBOL
q
JA
TYP
40
UNITS NOTES
°C/W
Test conditions follow standard test methods
and procedures for measuring thermal
impedance, per EIA/JESD51.
1, 2
Junction to Case (Top)
Junction to Pins
(Bottom)
q
JC
q
JB
9
17
°C/W
°C/W
1, 2
1, 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MT58L128L36D1 | 128K x 36，3.3V I/O Pipelined, DCD SyncBurst SRAM(4Mb，3.3V輸入/輸出，流水線式，雙循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT58L128L32P1 | 128K x 32，Pipelined, SCD SyncBurst SRAM(4Mb，流水線式，單循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT58L128L36P1 | 128K x 36，Pipelined, SCD SyncBurst SRAM(4Mb，流水線式，單循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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