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參數(shù)資料
| 型號： | MT54W4MH9BF-5 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST |
| 中文描述： | ⑩分配36MB四年防務(wù)審查II SRAM的2字爆 |
| 文件頁數(shù)： | 6/27頁 |
| 文件大小： | 302K |
| 代理商： | MT54W4MH9BF-5 |
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4 MEG x 8, 4 MEG x 9, 2 MEG x 18, 1 MEG x 36
1.8V V
DD
, HSTL, QDRIIb2 SRAM
ADVANCE
36Mb: 1.8V V
DD
, HSTL, QDRIIb2 SRAM
MT54W2MH18B_A.fm - Rev 9/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
6
2002, Micron Technology Inc.
4 MEG x 9 BALL ASSIGNMENT (TOP VIEW)
165-BALL FBGA
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NOTE:
1. Expansion address: 2A for 72Mb
2. Expansion address: 7A for 144Mb
3. Expansion address: 5B for 288Mb
4. BW0# controls writes to D0:D8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT54W4MH9BF-6 | 36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST |
| MT54W4MH9BF-7.5 | 36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST |
| MT55L128L32F1 | 3.3V I/O，128K x 32，F(xiàn)low-Through ZBT SRAM(3.3V輸入/輸出,4Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
| MT55L128L36F1 | 3.3V I/O，128K x 36，F(xiàn)low-Through ZBT SRAM(3.3V輸入/輸出,4Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
| MT55L128V32F1 | 2.5V I/O， 128K x 32，F(xiàn)low-Through ZBT SRAM(2.5V輸入/輸出,4Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT54W4MH9BF-6 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST |
| MT54W4MH9BF-7.5 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST |
| MT54W512H36BF-7.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MT54W512H36JF-6 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT5500-1/16-X-SP | 制造商:TE Connectivity 功能描述:MT5500-1/16-X-SP |
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