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參數(shù)資料
| 型號： | MT54W4MH9BF-4 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST |
| 中文描述： | ⑩分配36MB四年防務(wù)審查II SRAM的2字爆 |
| 文件頁數(shù)： | 15/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 302K |
| 代理商： | MT54W4MH9BF-4 |
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4 MEG x 8, 4 MEG x 9, 2 MEG x 18, 1 MEG x 36
1.8V V
DD
, HSTL, QDRIIb2 SRAM
ADVANCE
36Mb: 1.8V V
DD
, HSTL, QDRIIb2 SRAM
MT54W2MH18B_A.fm - Rev 9/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
15
2002, Micron Technology Inc.
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND RECOMMENDED OPERATING
CONDITIONS
1,
2,
3,
6, 8
0oC T
A
+70oC;
+1.7V V
DD
+1.9V
DESCRIPTION
SYMBOL
-4
-5
-6
-7.5
UNITS
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
Clock
Clock cycle time
(K, K#, C, C#)
4
Clock phase jitter
(K, K#, C, C#)
5
Clock HIGH time
(K, K#, C, C#)
Clock LOW time
(K, K#, C, C#)
Clock to clock#
(K
K# , C
t
KHKH minimum
Clock to clock#
(K#
K , C#
Clock to data clock
(K
C
,
K#
DLL lock time (K, C)
6
K static to DLL reset
Output Times
C, C# HIGH to output valid
C, C# HIGH to output hold
C, C# HIGH to echo clock
valid
C, C# HIGH to echo clock
hold
CQ, CQ# HIGH to output
valid
7
CQ, CQ# HIGH to output
hold
7
C HIGH to output High-Z
C HIGH to output Low-Z
Setup Times
Address valid to K rising
edge
8
Control inputs valid to K
rising edge
8
Data-in valid to K, K# rising
edge
8
t
KHKH
4.00
5.00
5.00
6.00
6.0
7.50
7.50
8.00
ns
t
KC var
0.20
0.20
0.20
0.20
ns
t
KHKL
1.60
2.00
2.40
3.00
ns
t
KLKH
1.60
2.00
2.40
3.00
ns
C# ) at
t
KHK#H
1.80
2.20
2.70
3.38
ns
C )
t
K#HKH
1.80
2.20
2.70
3.38
ns
C# )
t
KHCH
0.00
1.80
0.00
2.30
0.00
2.80
0.00
3.55
ns
t
KC lock
t
KC reset
1,024
30
1,024
30
1,024
30
1,024
30
cycles
ns
t
CHQV
t
CHQX
t
CHCQV
0.40
0.43
0.45
0.45
ns
ns
ns
-0.40
-0.43
-0.45
-0.45
0.33
0.36
0.38
0.38
t
CHCQX
-0.33
-0.36
-0.38
-0.38
ns
t
CQHQV
0.35
0.38
0.40
0.40
ns
t
CQHQX
-0.35
-0.38
-0.40
-0.40
ns
t
CHQZ
t
CHQX1
0.0
0.43
0.45
0.45
ns
ns
-0.40
-0.43
-0.45
-0.45
t
AVKH
0.40
0.50
0.60
0.70
ns
t
IVKH
0.40
0.50
0.60
0.70
ns
t
DVKH
0.40
0.50
0.60
0.70
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT54W4MH9BF-5 | 36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST |
| MT54W4MH9BF-6 | 36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST |
| MT54W4MH9BF-7.5 | 36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST |
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| MT55L128L36F1 | 3.3V I/O，128K x 36，F(xiàn)low-Through ZBT SRAM(3.3V輸入/輸出,4Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MT54W4MH9BF-6 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST |
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| MT54W512H36JF-6 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
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