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參數(shù)資料
| 型號： | MT4LC8M8E1TG-5S |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | PLUG, LOW PROFILE 3 POLE |
| 中文描述： | 內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 17/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 382K |
| 代理商： | MT4LC8M8E1TG-5S |
17
8 Meg x 8 FPM DRAM
D19_2.p65
–
Rev. 5/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
8 MEG x 8
FPM DRAM
HIDDEN REFRESH CYCLE
1
(WE# = HIGH; OE# = LOW)
DON
’
T CARE
UNDEFINED
tCLZ
tOFF
OPEN
VALID DATA
OPEN
COLUMN
ROW
tCAC
tRAC
tAA
tCAH
tASC
tRAH
tASR
tRAD
tAR
tCRP
tRCD
tRSH
tRAS
tRP
tCHR
tRAS
DQ
V
IOL
V
IL
ADDR
V
IL
CAS#
V
IL
RAS#
V
IL
tOE
tOD
OE#
tORD
-5
-6
SYMBOL
t
OE
t
OFF
t
ORD
t
RAC
t
RAD
t
RAH
t
RAS
t
RCD
t
RP
t
RSH
MIN
MAX
13
13
MIN
MAX
15
15
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
0
3
0
50
60
13
8
50
18
30
13
15
10
60
20
40
15
10,000
10,000
TIMING PARAMETERS
-5
-6
SYMBOL
t
AA
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
CAC
t
CAH
t
CHR
t
CLZ
t
CRP
t
OD
MIN
MAX
25
MIN
MAX
30
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
40
0
0
45
0
0
13
15
8
10
15
3
5
3
15
3
5
3
13
15
NOTE:
1. A HIDDEN REFRESH may also be performed after a WRITE cycle. In this case, WE# = LOW and OE# = HIGH.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4LC8M8P4DJ-5 | DRAM |
| MT4LC8M8P4DJ-6 | DRAM |
| MT4LC8M8P4TG-5 | DRAM |
| MT4LC8M8P4TG-6 | DRAM |
| MT4LDT464AG | 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs(4 M x 64無緩沖動(dòng)態(tài)RAM雙列直插存儲器模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT4LC8M8E1TG-6 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DRAM |
| MT4LC8M8E1TG-6S | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DRAM |
| MT4LC8M8P4 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DRAM |
| MT4LC8M8P4DJ-5 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DRAM |
| MT4LC8M8P4DJ-6 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DRAM |
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