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參數(shù)資料
| 型號： | MT46V64M8TG-75 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| 中文描述： | 雙倍數(shù)據(jù)速率的DDR SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 20/68頁 |
| 文件大?。?/td> | 2555K |
| 代理商： | MT46V64M8TG-75 |
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20
512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
512Mx4x8x16DDR_B.p65
–
Rev. B; Pub 4/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc.
512Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
ADVANCE
Figure 9
Nonconsecutive READ Bursts
CK
CK#
COMMAND
READ
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
ADDRESS
Bank,
Col
n
READ
Bank,
Col
b
COMMAND
ADDRESS
CL = 2
CK
CK#
DQ
DQS
CL = 2.5
DQ
DQS
DO
n
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
T5n
T6
NOTE
: 1. DO
n
(or
b
) = data-out from column
n
(or column
b
).
2. Burst length = 4 or 8 (if 4, the bursts are concatenated; if 8, the second burst interrupts the first).
3. Three subsequent elements of data-out appear in the programmed order following DO
n.
4. Three (or seven) subsequent elements of data-out appear in the programmed order following DO
b.
5. Shown with nominal
t
AC,
t
DQSCK, and
t
DQSQ.
6. Example applies when READ commands are issued to different devices or nonconsecutive READs.
READ
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
Bank,
Col
n
READ
Bank,
Col
b
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
T5n
T6
DO
b
DO
n
DO
b
DON
’
T CARE
TRANSITIONING DATA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V64M8TG-75L | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V64M8TG-75Z | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V64M8TG-75ZL | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V64M8TG-8 | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V64M8TG-8L | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
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參數(shù)描述 |
|---|
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