- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371147 > MSD1819A-RT1 (MOTOROLA INC) NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MSD1819A-RT1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | MSD1819A-RT1 |
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 6. Capacitance
VCB (V)
Figure 7. Capacitance
VEB (V)
20
0
18
16
14
12
10
1
2
3
4
7
0
C
6
5
4
3
2
1
10
20
30
40
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSD1819A-ST1 | NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT |
| MSD1819ART1 | NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT |
| MSD6150 | Dual Diode Common Anode |
| MSD6150 | Dual Diode Common Anode |
| MSK5115-00BZU | HIGH CURRENT, LOW DROPOUT VOLTAGE REGULATORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MSD1819A-RT1_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Transistor |
| MSD1819A-RT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSD1819A-ST1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT |
| MSD-1G | 制造商:JVC Worldwide 功能描述:1G MICRO SDCARD |
| MSD-1G-NP | 制造商:JVC Worldwide 功能描述:1G MICRO SDCARD |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。