參數(shù)資料
型號： MSD1819A-RT1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 153K
代理商： MSD1819A-RT1
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 1. Derating Curve
250
200
150
100
50
0–50
0
TA, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
50
100
150
P
Figure 2. IC – VCE
VCE, COLLECTOR VOLTAGE (V)
Figure 3. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 5. On Voltage
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
I
60
0
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
TA = 25
°
C
160
μ
A
140
μ
A
120
μ
A
100
μ
A
80
μ
A
60
μ
A
40
μ
A
IB = 20
μ
A
D
1000
0.1
100
10
1
10
100
TA = 25
°
C
TA = –25
°
C
TA = 75
°
C
VCE = 10 V
V
2
0.01
1.5
1
0.5
0
0.1
1
10
100
TA = 25
°
C
C
900
0.2
800
700
600
500
400
300
200
100
0.5
1
5
10
20
40
60
80
100
150
200
TA = 25
°
C
VCE = 5 V
0
R
θ
JA = 833
°
C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MSD1819A-ST1 NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT
MSD1819ART1 NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT
MSD6150 Dual Diode Common Anode
MSD6150 Dual Diode Common Anode
MSK5115-00BZU HIGH CURRENT, LOW DROPOUT VOLTAGE REGULATORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MSD1819A-RT1_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Transistor
MSD1819A-RT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MSD1819A-ST1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT
MSD-1G 制造商:JVC Worldwide 功能描述:1G MICRO SDCARD
MSD-1G-NP 制造商:JVC Worldwide 功能描述:1G MICRO SDCARD
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*