參數(shù)資料
型號： MRFG35010ANT1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： Gallium Arsenide PHEMT
中文描述： 砷化鎵PHEMT器件
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 260K
代理商： MRFG35010ANT1
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35010ANT1
Table 6. Class AB Common Source S-Parameters (V
DD
= 12 Vdc, I
DQ
= 130 mA, T
C
= 25
°
C, 50 ohm system)
S
11
S
21
GHz
|S
11
|
∠ φ
|S
21
|
0.5
0.945
-174.56
4.019
0.55
0.946
-176.04
3.663
0.6
0.947
-177.32
3.366
0.65
0.947
-178.45
3.112
0.7
0.948
-179.56
2.895
0.75
0.948
179.46
2.706
0.8
0.948
178.47
2.540
0.85
0.948
177.54
2.393
0.9
0.949
176.67
2.262
0.95
0.950
175.80
2.144
1
0.949
174.99
2.036
1.05
0.950
174.21
1.944
1.1
0.950
173.45
1.855
1.15
0.950
172.67
1.775
1.2
0.949
171.97
1.701
1.25
0.950
171.32
1.634
1.3
0.950
170.63
1.571
1.35
0.950
169.95
1.513
1.4
0.949
169.34
1.459
1.45
0.949
168.69
1.409
1.5
0.949
168.05
1.365
1.55
0.948
168.83
1.317
1.6
0.948
168.16
1.278
1.65
0.948
167.46
1.238
1.7
0.948
166.80
1.203
1.75
0.949
166.20
1.168
1.8
0.950
165.51
1.137
1.85
0.950
164.95
1.108
1.9
0.950
164.28
1.080
1.95
0.950
163.65
1.053
2
0.951
162.95
1.029
2.05
0.950
162.45
1.004
2.1
0.950
161.82
0.983
2.15
0.950
161.22
0.962
2.2
0.949
160.64
0.944
2.25
0.949
160.02
0.926
2.3
0.949
159.39
0.910
2.35
0.951
158.85
0.894
2.4
0.949
158.25
0.880
2.45
0.948
157.61
0.867
2.5
0.949
157.00
0.855
2.55
0.948
156.38
0.843
2.6
0.948
155.73
0.833
2.65
0.946
155.07
0.823
2.7
0.945
154.41
0.813
2.75
0.944
153.70
0.805
f
S
12
S
22
∠ φ
84.19
82.53
80.98
79.47
77.97
76.52
75.04
73.57
72.11
70.67
69.21
67.79
66.34
64.92
63.52
62.09
60.69
59.26
57.88
56.49
55.14
53.93
52.65
51.29
50.05
48.79
47.59
46.33
45.15
43.95
42.80
41.72
40.60
39.44
38.45
37.33
36.28
35.26
34.21
33.14
32.09
31.01
29.90
28.86
27.71
26.55
|S
12
|
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.021
0.021
0.021
0.021
0.021
0.022
∠ φ
3.30
2.54
2.19
1.57
0.87
0.62
-0.13
-0.49
-0.94
-1.83
-2.42
-2.91
-3.44
-4.10
-4.38
-4.91
-5.31
-6.04
-6.58
-7.02
-7.32
-7.26
-7.55
-7.83
-8.50
-9.20
-9.26
-9.47
-9.71
-9.95
-10.45
-10.68
-11.15
-11.31
-11.94
-12.19
-12.28
-12.28
-12.08
-12.46
-12.24
-12.56
-12.08
-12.64
-12.48
-13.14
|S
22
|
0.780
0.781
0.781
0.781
0.781
0.781
0.780
0.780
0.781
0.781
0.780
0.781
0.781
0.781
0.781
0.781
0.782
0.783
0.783
0.784
0.785
0.787
0.788
0.789
0.790
0.790
0.791
0.791
0.792
0.793
0.793
0.794
0.794
0.794
0.796
0.797
0.796
0.797
0.797
0.796
0.797
0.796
0.796
0.796
0.796
0.794
∠ φ
-179.31
179.94
179.35
178.72
178.05
177.37
176.66
175.92
175.15
174.36
173.56
172.68
171.84
171.00
170.10
169.21
168.37
167.37
166.48
165.70
164.78
162.67
162.09
161.44
160.84
160.36
159.76
159.37
158.91
158.40
158.00
157.80
157.42
157.19
157.03
156.78
156.48
156.47
156.16
155.87
155.85
155.53
155.28
155.24
154.81
154.51
相關PDF資料
PDF描述
MRFG35010AR1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35010N RF Power Field Effect Transistor
MRFG35010 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35030R5 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFIC0970 3.2V GSM GaAs Intergrated Power Amplifier
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MRFG35010AR1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010AR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010MR5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRFG35010MT1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35010N 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*