參數(shù)資料
型號： MRFG35002N6T1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
中文描述： 砷化鎵PHEMT的射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 221K
代理商： MRFG35002N6T1
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35002N6T1
Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Saturated Drain Current
(V
DS
= 3.5 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
1.7
—
Adc
Off State Leakage Current
(V
GS
= -0.4 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
< 1.0
100
μ
Adc
Off State Drain Current
(V
DS
= 6 Vdc, V
GS
= -2.5 Vdc)
I
DSO
—
—
600
μ
Adc
Off State Current
(V
DS
= 28.5 Vdc, V
GS
= -2.5 Vdc)
I
DSX
—
< 1.0
9
mAdc
Gate-Source Cut-off Voltage
(V
DS
= 3.5 Vdc, I
DS
= 8.7 mA)
V
GS(th)
-1.2
-0.9
-0.7
Vdc
Quiescent Gate Voltage
(V
DS
= 6 Vdc, I
D
= 65 mA)
V
GS(Q)
-1.1
-0.8
-0.6
Vdc
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 6 Vdc, I
DQ
= 65 mA, P
out
= 158.5 mW Avg., f = 3550 MHz,
Single-Carrier W-CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @
±
5 MHz Offset.
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain
G
ps
8.5
10
—
dB
Drain Efficiency
D
23
27
—
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
—
-41
-38
dBc
Typical RF Performance
(In Freescale Test Fixture, 50
ο
hm system) V
DD
= 6 Vdc, I
DQ
= 65 mA, f = 3550 MHz
Output Power, 1 dB Compression Point, CW
P
1dB
—
1.5
—
W
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PDF描述
MRFG35003MT1 RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT
MRFG35005MT1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35005NT1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35010ANT1 Gallium Arsenide PHEMT
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