參數(shù)資料
型號： MRFE6S9130HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 6/11頁
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代理商： MRFE6S9130HR3
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9130HR3 MRFE6S9130HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
A
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
10
60
0
TWOTONE SPACING (MHz)
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 130 W (PEP)
I
DQ
= 950 mA, TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 880 MHz
IM3U
20
30
40
50
1
60
Figure 8. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
Figure 9. Single-Carrier N-CDMA ACPR, ALT1, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
0
80
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
60
20
40
30
30
40
20
50
60
1
10
100
10
40
60
P6dB = 52.95 dBm (197.24 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
55
54
52
50
33
32
35
34
36
Actual
Ideal
P3dB = 52.26 dBm (168.27 W)
51
53
31
400
14
21
1
0
70
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 950 mA
f = 880 MHz
100
10
19
18
17
16
15
60
40
30
20
10
G
ps
η
D
,
p
,
η
D
,
I
P
o
,
η
D
G
ps
G
p
,
50
70
η
D
ACPR
10
200
50
IM3L
IM5L
IM5U
IM7U
IM7L
56
57
58
59
37
38
39
P1dB = 51.15 dBm
(130.31 W)
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA, Pulsed CW
12
μ
sec(on), 1% Duty Cycle, f = 880 MHz
A
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA, f = 880 MHz
NCDMA IS95, Pilot, Sync, Paging
Traffic Codes 8 Through 13
ALT1
T
C
= 30 C
25 C
85 C
20
T
C
= 30 C
25 C
85 C
30 C
25 C
85 C
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PDF描述
MRFE6S9135HR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRFG35002N6T1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35003MT1 RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT
MRFG35005MT1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35005NT1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
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MRFE6S9130HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9130HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 130W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9135HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 135W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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