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參數(shù)資料
| 型號： | MRFE6S9130HR3 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè) |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 422K |
| 代理商： | MRFE6S9130HR3 |
MRFE6S9130HR3 MRFE6S9130HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
25
30
5
10
15
20
45
5
15
25
35
55
I
A
G
p
,
G
p
,
I
A
980
820
IRL
G
ps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 27 Watts Avg.
960
940
920
900
880
860
840
20
19.5
70
34
30
26
20
40
50
980
820
IRL
G
ps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 54 Watts Avg.
960
940
920
900
880
860
840
19
17.5
17
70
50
41
10
20
40
60
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
100
15
21
1
I
DQ
= 1400 mA
1100 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
19
18
17
10
400
20
1
I
DQ
= 500 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
30
40
50
60
10
η
D
,
E
η
D
,
E
G
p
,
I
I
18.5
17.5
16.5
15.5
15
16.5
15.5
14.5
13.5
13
16
950 mA
500 mA
10
700 mA
1400 mA
16
17
18
19
60
30
28
32
16
15
14
44
38
30
50
η
D
ACPR
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 878.75 MHz, f2 = 881.25 MHz
TwoTone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
700 mA
400
950 mA
1100 mA
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 878.75 MHz, f2 = 881.25 MHz
TwoTone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 27 W (Avg.), I
DQ
= 950 mA
NCDMA IS95 Pilot, Sync, Paging, Traffic
Codes 8 Through 13
ALT1
η
D
18
18.5
35
47
0
ALT1
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 54 W (Avg.)
I
DQ
= 950 mA, NCDMA IS95 Pilot, Sync
Paging, Traffic Codes 8 Through 13
20
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6S9135HR3 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRFG35002N6T1 | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
| MRFG35003MT1 | RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT |
| MRFG35005MT1 | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
| MRFG35005NT1 | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRFE6S9130HR3_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRFE6S9130HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRFE6S9130HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRFE6S9130HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 130W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRFE6S9135HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 135W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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