參數(shù)資料
型號： MRFE6P3300HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述： RF功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強型MOSFET的側(cè)向
文件頁數(shù)： 9/12頁
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代理商： MRFE6P3300HR3
MRFE6P3300HR3 MRFE6P3300HR5
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
f
MHz
Z
source
Ω
Z
load
Ω
830
845
860
4.52 - j6.73
3.89 - j5.81
4.22 - j6.38
4.89 - j1.35
5.06 - j1.01
5.18 - j0.58
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1600 mA, P
out
= 270 W PEP
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to gate, balanced configuration.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to drain, balanced configuration.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
+
+
Figure 16. 820-900 MHz Narrowband Series Equivalent Source and Load Impedance
Z
o
= 10
Ω
f = 890 MHz
f = 830 MHz
Z
load
Z
source
875
890
3.39 - j4.32
3.54 - j5.10
5.27 - j0.11
5.36 + j0.43
f = 830 MHz
f = 890 MHz
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MRFE6P9220HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6P9220HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S8046GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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