參數(shù)資料
型號(hào)： MRF9200LR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大小： 775K
代理商： MRF9200LR3
MRF9200LR3 MRF9200LSR3
5
Freescale Semiconductor
Wireless RF Product Device Data
TYPICAL CHARACTERISTICS
'
-.
/' (0(
)12+
Figure 3. Single
Carrier N
CDMA Broadband Performance @ P
out
= 40 Watts Avg.
3
3
3
3
3
4
*,'
3
567
4
";57' <#,' !9"#9' !//", 5*$.
8 )%9&+'
0
4
:
3
=569=
&
&
3
3
3
3
3
η
(
η
D
-
'
&
&
&
&
&
&
3
3
'
-.
/' (0(
)12+
Figure 4. Single
Carrier N
CDMA Broadband Performance @ P
out
= 85 Watts Avg.
3
3
3
3
3
4
*,'
3
567
4
";57' <#,' !9"#9' !//", 5*$. =569=
8 )%9&+'
0
4
:
3
&
&
3
3
3
3
3
η
(
η
D
-
'
&
&
&
&
&
&
3
3
3
Figure 5. Two
Tone Power Gain versus
Output Power
&
0
4
:
:
4
*,
12' / 4 &
$!.6$:$#7.
@12 5#$ -!,"#9
/ 4
535#$
12
567
'
8(
)8+
(
-
'
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
3
3
0
4
:
:
3
3
3
3
3
3
4
*,
12' / 4 &
$!.6$:$#7.'
/ 4
535#$
12
@12 5#$ -!,"#9
567
'
8(
)8+
(
(
'
&
&
&
:
:
:
:
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF9200LSR3 N&#8722;Channel Enhancement&#8722;Mode Lateral MOSFETs
MRF9582NT1 Silicon Lateral FET, N -Channel Enhancement-Mode MOSFET
MRFE6P3300HR3 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRFE6S9045NR1 RF Power Field Effect Transistor
MRFE6S9130HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF9200LR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:880 MHz, 40 W AVG. 26 V SINGLE N-CDMA N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9200LSR3 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:880 MHz, 40 W AVG. 26 V SINGLE N-CDMA N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9210 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF9210R3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 200W RF LDMOS NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9210R5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 200W RF LDMOS NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*