| 型號(hào): | MRF905 |
| 廠商: | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述: | NPN SILICON RF TRANSISTOR |
| 中文描述: | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46 |
| 封裝: | TO-46, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
| 文件大小: | 13K |
| 代理商: | MRF905 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF962 | CAP 3.9PF 50V +/-0.25PF C0G SMD-0402 BULK SN100 HIGH-FREQ |
| MRW2020 | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| MRW53601 | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| MS175H | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| MS2441 | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF9060 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:945 MHz, 60 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs |
| MRF9060LR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 60W 1GHZ RFPWR FET NI360 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF9060LR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF9060LR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 60W 1GHZ RFPWR FET NI360 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF9060LSR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 60W 945MHZ NI360S LOW AU RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |