參數(shù)資料
型號(hào)： MRF9045MR1
廠(chǎng)商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： LEAD FREE 50V 3PHS BRUSHLESS DC MTR CTLR
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
封裝： PLASTIC, CASE 1265-08, TO-270, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大小： 648K
代理商： MRF9045MR1
MRF9045MR1 MRF9045MBR1
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 65 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate–Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 150
μ
Adc)
V
GS(th)
2
2.8
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 28 Vdc, I
D
= 350 mAdc)
V
GS(Q)
3
3.7
5
Vdc
Drain–Source On–Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 1 Adc)
V
DS(on)
—
0.22
0.4
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 3 Adc)
g
fs
—
4
—
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
iss
—
70
—
pF
Output Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
oss
—
38
—
pF
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
rss
—
1.7
—
pF
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture, 50 ohm system)
Two–Tone Common–Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 45 W PEP, I
DQ
= 350 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
G
ps
17
19
—
dB
Two–Tone Drain Efficiency
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 45 W PEP, I
DQ
= 350 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
η
38
41
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 45 W PEP, I
DQ
= 350 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
IMD
—
–31
–28
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 45 W PEP, I
DQ
= 350 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
IRL
—
–14
–9
dB
Two–Tone Common–Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 45 W PEP, I
DQ
= 350 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
G
ps
—
19
—
dB
Two–Tone Drain Efficiency
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 45 W PEP, I
DQ
= 350 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
η
—
41
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 45 W PEP, I
DQ
= 350 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
IMD
—
–31
—
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 45 W PEP, I
DQ
= 350 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
IRL
—
–13
—
dB
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述
MRF9120 RF Power Field Effect Transistors
MRF9120LR3 RF Power Field Effect Transistors
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MRF9130L LEAD FREE A3932SEQ-T WITH TAPE & REEL
MRF9130LR3 SEE A3938SLD-T
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參數(shù)描述
MRF9045NBR1 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF9045NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 45W 1GHZ RF LDMOS TO270N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9045NR1-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF9045 Series 945 MHz 45 W 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFET
MRF9045S 制造商:Motorola Inc 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-391BVAR
MRF904SNR1 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
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