參數(shù)資料
型號(hào)： MRF7S38010H
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 6/15頁(yè)
文件大小： 528K
代理商： MRF7S38010H
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S38010HR3 MRF7S38010HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
I
A
3400
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. WiMAX Broadband Performance
@ P
out
= 2 Watts Avg.
20
0
5
10
15
12
17
16.5
16
54
20
19
18
17
49
50
51
52
η
D
,
E
G
p
,
15.5
15
14.5
14
13.5
13
12.5
3425
3450
3475
3500
3600
16
53
25
IRL
G
ps
η
D
V
DD
= 30 Vdc, P
out
= 2 W (Avg.), I
DQ
= 160 mA
802.16d, 64 QAM
3
/
4,
4 Bursts, 7 MHz Channel
Bandwidth, Input Signal PAR = 9.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
3525
3550
3575
ACPRL
ACPRU
I
A
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. WiMAX Broadband Performance
@ P
out
= 4 Watts Avg.
20
0
5
10
15
12
17
16.5
16
45
26
25
24
23
40
41
42
43
η
D
,
E
G
p
,
15.5
15
14.5
14
13.5
13
12.5
22
44
25
IRL
G
ps
η
D
V
DD
= 30 Vdc, P
out
= 4 W (Avg.), I
DQ
= 160 mA
802.16d, 64 QAM
3
/
4,
4 Bursts, 7 MHz Channel
Bandwidth, Input Signal PAR = 9.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
ACPRL
ACPRU
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
10
19
1
I
DQ
= 240 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
200 mA
14
13
11
10
50
G
p
,
16
V
DD
= 30 Vdc, I
DQ
= 160 mA
f1 = 3495
MHz, f2 = 3505 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
I
DQ
= 80 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
120 mA
10
20
30
40
50
1
I
I
50
10
V
DD
= 30 Vdc, I
DQ
= 160 mA
f1 = 3495
MHz, f2 = 3505 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
12
15
17
18
160 mA
120 mA
80 mA
240 mA
200 mA
160 mA
3400
3425
3450
3475
3500
3600
3525
3550
3575
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PDF描述
MRF9002NR2 RF Power Field Effect Transistor Array N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF9030MR1_07 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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MRF7S38010HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3600MHZ 2W 30V NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S38010HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3600MHZ 2W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S38010HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3600MHZ 2W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S38040HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3600MHZ 8W 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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