參數(shù)資料
型號(hào): MRF7S35120HSR3
廠商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝: ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁數(shù): 6/11頁
文件大?。?/td> 732K
代理商: MRF7S35120HSR3
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S35120HSR3
Figure 2. MRF7S35120HSR3 Test Circuit Component Layout
CUT
OUT
A
REA
C9 C8
C7
B1
R1
C10
C6
C1
C3 C4
C5
C2
MRF7S35120HS
Rev. 3a
J1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MS2222103-A CONN,HOUSING,6POS,9255-06E-4Z, .156",YELLOW,20AWG,CLOSED
MS2222103-B HEADER,.100",2POS,644456-2-VP ,TIN,STRAIGHT POST,(10)
MS2222103 CONN,HOUSING,5POS,9255-05E-4Z, .156",YELLOW,20AWG,CLOSED
MS225R015-A HEADER,.100",5 POS,644456-5-VP ,TIN,STRAIGHT POST
MS225R015-B HEADER,.100",6 POS,644456-6-VP ,TIN,STRAIGHT POST
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF7S35120HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 120W PULSED RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S38010H 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S38010HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3600MHZ 2W 30V NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S38010HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3600MHZ 2W 30V NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S38010HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3600MHZ 2W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray