參數(shù)資料
型號： MRF7S21080HR3
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應晶體管
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 428K
代理商： MRF7S21080HR3
MRF7S21080HR3 MRF7S21080HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 800 mA, 2110-2170 MHz Bandwidth
Video Bandwidth @ 70 W PEP P
out
where IM3 = -30 dBc
(Tone Spacing from 100 kHz to VBW)
Δ
IMD3 = IMD3 @ VBW frequency - IMD3 @ 100 kHz <1 dBc (both
sidebands)
VBW
—
10
—
MHz
Gain Flatness in 60 MHz Bandwidth @ P
out
= 22 W Avg.
G
F
—
0.12
—
dB
Average Deviation from Linear Phase in 60 MHz Bandwidth
@ P
out
= 80 W CW
Φ
—
22.3
—
°
Average Group Delay @ P
out
= 80 W CW, f = 2140 MHz
Delay
—
6.21
—
ns
Part-to-Part Insertion Phase Variation @ P
out
= 80 W CW,
f = 2140 MHz, Six Sigma Window
ΔΦ
—
151.6
—
°
Gain Variation over Temperature
(-30
°
C to +85
°
C)
Δ
G
—
0.009
—
dB/
°
C
Output Power Variation over Temperature
(-30
°
C to +85
°
C)
Δ
P1dB
—
0.008
—
dBm/
°
C
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