參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6VP121KHSR6
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, CASE 375E-04, NI-1230S, 4 PIN
文件頁數(shù)： 10/20頁
文件大小： 1167K
代理商： MRF6VP121KHSR6
18
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6VP121KHR6 MRF6VP121KHSR6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6VP21KHR6 VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6VP2600HR6 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6VP3091NR1 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6VP3091NBR1 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6VP3091NR5 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MRF6VP21KHR6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 225MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6VP21KHR6_10 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
MRF6VP2600H 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
MRF6VP2600HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 600W 225MHZ NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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