參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S9125NR1_06
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/20頁(yè)
文件大?。?/td> 865K
代理商： MRF6S9125NR1_06
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9125NR1 MRF6S9125NBR1
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
(1,2)
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Case Temperature 80
°
C, 125 W CW
Case Temperature 76
°
C, 27 W CW
R
θ
JC
0.44
0.45
°
C/W
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22-A114)
1B (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)
C (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101)
IV (Minimum)
Table 4. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
3
260
°
C
Table 5. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 68 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate-Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 400
μ
Adc)
V
GS(th)
1
2.1
3
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 28 Vdc, I
D
= 950 mAdc)
V
GS(Q)
2
2.89
4
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 2.74 Adc)
V
DS(on)
0.05
0.23
0.3
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 8 Adc)
g
fs
—
6
—
S
Dynamic Characteristics
(3)
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
rss
—
2
—
pF
Output Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
oss
—
60
—
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA, P
out
= 27 W Avg. N-CDMA, f = 880
MHz,
Single-Carrier N-CDMA, 1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 30 kHz Channel Bandwidth @
±
750 kHz Offset. PAR
= 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain
G
ps
19
20.2
24
dB
Drain Efficiency
η
D
29
31
—
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
—
-47.1
-45
dBc
Input Return Loss
IRL
—
-16
-9
dB
1. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Tools/Software/Application Software/Calculators to access
the MTTF calculators by product.
2. Refer to AN1955,
Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers.
Go to http://www.freescale.com/rf.
Select Documentation/Application Notes - AN1955.
3. Part is internally input matched.
(continued)
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PDF描述
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