參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S9125NR1_06
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 15/20頁(yè)
文件大?。?/td> 865K
代理商： MRF6S9125NR1_06
MRF6S9125NR1 MRF6S9125NBR1
15
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Z
o
= 5
Ω
Z
load
f = 900 MHz
Z
source
f = 980 MHz
f = 900 MHz
f = 980 MHz
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 700 mA, P
out
= 60 W Avg.
Z
source
f
MHz
Z
load
900
905
910
915
920
925
930
935
940
945
950
955
960
965
970
975
980
1.04 - j2.65
1.04 - j2.60
1.03 - j2.55
1.02 - j2.51
1.01 - j2.46
1.01 - j2.41
1.00 - j2.36
0.98 - j2.32
0.97 - j2.27
0.96 - j2.22
0.95 - j2.17
0.94 - j2.12
0.94 - j2.08
0.93 - j2.03
0.93 - j1.99
0.92 - j1.94
0.92 - j1.90
1.66 - j0.56
1.66 - j0.50
1.67 - j0.43
1.68 - j0.37
1.68 - j0.31
1.69 - j0.24
1.70 - j0.18
1.70 - j0.12
1.71 - j0.05
1.72 - j0.00
1.73 + j0.07
1.74 + j0.14
1.76 + j0.20
1.77 + j0.26
1.79 + j0.32
1.80 + j0.39
1.82 + j0.45
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 25. Series Equivalent Source and Load Impedance for EDGE Characterization Tests
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S9125 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9130HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9160HR3 RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
MRF6V2010NBR1 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2010N RF Power Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6S9130H 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9130HR3 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S9130HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9130HR5 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S9130HSR3 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780S RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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