參數(shù)資料
型號： MRF6S9125NR1_06
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應晶體管
文件頁數(shù)： 13/20頁
文件大?。?/td> 865K
代理商： MRF6S9125NR1_06
MRF6S9125NR1 MRF6S9125NBR1
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
EDGE CHARACTERIZATION
Figure 19. EVM versus Frequency
Figure 20. EVM and Drain Efficiency versus
Output Power
f, FREQUENCY (MHz)
P
out
= 70 W Avg.
60 W Avg.
20 W Avg.
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 700 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
300
6
15
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 700 mA
f = 943 MHz
EDGE Modulation
12
9
0
10
1
3
30
75
60
45
0
15
T
C
= 25 C
EVM
980
82.5
52.5
900
SR @ 400 kHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 21. Spectral Regrowth at 400 kHz and
600 kHz versus Frequency
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 700 mA
f = 943 MHz, EDGE Modulation
60
75
910
920
930
940
950
960
970
P
out
= 70 W Avg.
60 W Avg.
20 W Avg.
70 W Avg.
T
C
= 25 C
75
45
0
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 22. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
48
51
54
57
60
63
66
69
72
22.5
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 700 mA
f = 943 MHz
EDGE Modulation
η
D
η
D
,
E
990
0
900
5
4.5
3
2.5
1.5
1
0.5
980
970
960
950
940
930
910
4
3.5
2
E
S
S
Figure 23. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
83
53
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
56
59
62
65
68
71
74
77
80
S
920
100
67.5
SR @ 600 kHz
60 W Avg.
20 W Avg.
45
67.5
90
112.5
135
0
22.5
45
67.5
90
112.5
135
T
C
= 25 C
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 700 mA
f = 943 MHz
EDGE Modulation
相關PDF資料
PDF描述
MRF6S9125 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9130HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9160HR3 RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
MRF6V2010NBR1 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2010N RF Power Field Effect Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6S9130H 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9130HR3 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S9130HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9130HR5 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S9130HSR3 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780S RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*