參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S9045MBR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
封裝： PLASTIC, CASE-1337-03, 2 PIN
文件頁數(shù)： 7/16頁
文件大?。?/td> 642K
代理商： MRF6S9045MBR1
MRF6S9045MR1 MRF6S9045MBR1
15
RF Device Data
Freescale Semiconductor
CASE 1337-03
ISSUE C
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M, 1994.
3. DATUM PLANE H IS LOCATED AT THE TOP OF
LEAD AND IS COINCIDENT WITH THE LEAD
WHERE THE LEAD EXITS THE PLASTIC BODY AT
THE TOP OF THE PARTING LINE.
4. DIMENSIONS "D" AND "E1" DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION
IS .006 PER SIDE. DIMENSIONS "D" AND "E1" DO
INCLUDE MOLD MISMATCH AND ARE
DETERMINED AT DATUM PLANE H.
5. DIMENSION "b1" DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE .005 TOTAL IN EXCESS
OF THE "b1" DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
6. DATUMS A AND B TO BE DETERMINED AT
DATUM PLANE H.
7. DIMENSION A2 APPLIES WITHIN ZONE "J" ONLY.
8. CROSSHATCHING REPRESENTS THE EXPOSED
AREA OF THE HEAT SLUG.
H
C
A
B
SEATING
PLANE
DATUM
PLANE
2X
b1
A
E1
r1
DRAIN
LEAD
D
D1
E
NOTE 8
Y
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
.100
.104
2.54
2.64
INCHES
A1
.039
.043
0.99
1.09
A2
.040
.042
1.02
1.07
D
.928
.932
23.57
23.67
D1
E
.438
.442
11.12
11.23
E1
.248
.252
6.30
6.40
F
b1
.193
c1
.007
.011
.18
r1
.063
.068
1.60
aaa
1
VIEW Y-Y
.810 BSC
.004
20.57 BSC
.10
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
.025 BSC
.28
1.73
PIN 3
A1
A2
F
ZONE "J"
7
B
aaa M
CA
aaa M
CA
2X
.199
4.90
0.64 BSC
5.05
c1
2
DRAIN ID
GATE
LEAD
E2
E2
.241
.245
6.12
6.22
TO-272-2
PLASTIC
MRF6S9045MBR1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S9045MR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6S9045NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S9060MBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S9060MR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6S9060NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
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參數(shù)描述
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MRF6S9045NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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