參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S9045MBR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
封裝： PLASTIC, CASE-1337-03, 2 PIN
文件頁數(shù)： 10/16頁
文件大?。?/td> 642K
代理商： MRF6S9045MBR1
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
MRF6S9045MR1 MRF6S9045MBR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical GSM EDGE Performances (In Freescale GSM EDGE Test Fixture Optimized for 921-960 MHz, 50 οhm system)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 350 mA, Pout = 16 W Avg., f = 921-960 MHz, GSM EDGE Signal
Power Gain
Gps
—
20
—
dB
Drain Efficiency
ηD
—
46
—
%
Error Vector Magnitude
EVM
—
1.5
—
%
Spectral Regrowth at 400 kHz Offset
SR1
—
-62
—
dBc
Spectral Regrowth at 600 kHz Offset
SR2
—
-78
—
dBc
Typical CW Performances (In Freescale GSM Test Fixture Optimized for 921-960 MHz, 50 οhm system) VDD = 28 Vdc,
IDQ = 350 mA, Pout = 45 W, f = 921-960 MHz
Power Gain
Gps
—
20
—
dB
Drain Efficiency
ηD
—
68
—
%
Input Return Loss
IRL
—
-12
—
dB
Pout @ 1 dB Compression Point
(f = 940 MHz)
P1dB
—
52
—
W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S9045MR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6S9045NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S9060MBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S9060MR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6S9060NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6S9045MR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S9045N 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9045NBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-272-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S9045NR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S9045NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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