參數資料
型號: MRF5S9080NR1
廠商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1486-03, WB-4, 4 PIN
文件頁數: 18/20頁
文件大?。?/td> 755K
代理商: MRF5S9080NR1
MRF5S9080NR1 MRF5S9080NBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2 for MTTF in a particular application.
Figure 13. MTTF Factor versus Junction Temperature
210
1.E+07
1.E+09
90
MTTF
F
ACT
OR
(HOURS
X
AMPS
2 )
1.E+08
100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200
GSM TEST SIGNAL
Figure 14. EDGE Spectrum
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
200 kHz
Span 2 MHz
Center 1.96 GHz
110
400 kHz
600 kHz
400 kHz
600 kHz
(dB)
Reference Power
VBW = 30 kHz
Sweep Time = 70 ms
RBW = 30 kHz
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PDF描述
MRF5S9080NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF5S9100MBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
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參數描述
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MRF5S9100MR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-270-4 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數據:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S9100N 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
MRF5S9100NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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