參數(shù)資料
型號： MRF5S9080NR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1486-03, WB-4, 4 PIN
文件頁數(shù)： 16/20頁
文件大?。?/td> 755K
代理商： MRF5S9080NR1
MRF5S9080NR1 MRF5S9080NBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS - 900 MHz
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
1020
16.5
19.5
860
40
80
60
19
40
18
20
0
17
20
880
900
920
940
960
980
1000
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout = 80 Watts CW
IRL
Gps
VDD = 26 Vdc
IDQ = 600 mA
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
18.5
17.5
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
1020
18.2
19.2
860
40
60
40
19
18.6
20
0
20
880
900
920
940
960
980
1000
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout = 36 Watts CW
IRL
Gps
VDD = 26 Vdc
IDQ = 600 mA
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
18.8
18.4
1000
14
20
1
IDQ = 900 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 5. Power Gain versus Output Power
VDD = 26 Vdc
f = 940 MHz
600 mA
18
17
16
15
10
100
200
13
20
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 6. Power Gain versus Output Power
VDD = 12 V
16 V
24 V
28 V
32 V
18
17
16
15
50
100
150
20 V
19
750 mA
450 mA
300 mA
IDQ = 600 mA
f = 940 MHz
19
14
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PDF描述
MRF5S9080NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF5S9100MBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF5S9100NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
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MRF5S9100N 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
MRF5S9100NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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