參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S19090HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
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代理商： MRF5S19090HR3
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S19090HR3 MRF5S19090HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
0
40
1
65
25
IM3
G
ps
ACPR
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 8. 2-Carrier N-CDMA ACPR, IM3, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
I
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 850 mA
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
2 x NCDMA, 2.5 MHz @ 1.2288 MHz Bandwidth
PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
IM3
η
D
35
30
30
35
25
40
20
45
15
50
10
55
5
60
10
220
10
9
100
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 9. MTTF Factor versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTBF in a particular application.
10
8
10
7
10
6
120
140
160
180
200
η
D
,
p
,
M
2
)
10
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 10. 2-Carrier CCDF N-CDMA
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
IS95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13) 1.2288 MHz Channel Bandwidth
Carriers. ACPR Measured in 30 kHz Bandwidth @
±
885 kHz Offset. IM3 Measured in 1.2288 MHz
Bandwidth @
±
2.5 MHz Offset. PAR = 9.8 dB @
0.01% Probability on CCDF.
P
f, FREQUENCY (MHz)
100
0
Figure 11. 2-Carrier N-CDMA Spectrum
10
20
30
40
50
60
70
80
90
ACPR in 30 kHz
Integrated BW
+ACPR in 30 kHz
Integrated BW
IM3 in
1.2288 MHz
Integrated BW
+IM3 in
1.2288 MHz
Integrated BW
1.2288 MHz
Channel BW
6
1.5
4.5
3
0
1.5
3
4.5
6
7.5
7.5
(
N-CDMA TEST SIGNAL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S19130HR3 Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.
MRF5S19130SR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19130R3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19130HSR3 Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.
MRF5S21045NR1 RF Power Field Effect Transistors
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參數(shù)描述
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MRF5S19090LR3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF5S19090LSR3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
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