參數(shù)資料
型號： MRF5S19090HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 2/12頁
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代理商： MRF5S19090HR3
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S19090HR3 MRF5S19090HSR3
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Conditions
Class
Human Body Model
1 (Minimum)
Machine Model
M3 (Minimum)
Charge Device Model
C7 (Minimum)
Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 65 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
Gate-Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
On Characteristics (DC)
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 200
μ
Adc)
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 28 Vdc, I
D
= 850 mAdc)
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 2 Adc)
V
GS(th)
2.5
2.7
3.5
Vdc
V
GS(Q)
—
3.7
—
Vdc
V
DS(on)
—
0.26
—
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 2 Adc)
Dynamic Characteristics
(1)
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
g
fs
—
5
—
S
C
rss
—
1.7
—
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 850 mA, P
out
= 18 W Avg., f1 = 1930 MHz,
f2 = 1932.5 MHz and f1 = 1987.5 MHz, f2 =1990 MHz,2-Carrier N-CDMA, 1.2288 MHz Channel Bandwidth Carriers. ACPR measured in
30 kHz Channel Bandwidth @
±
885 kHz Offset. IM3 measured in 1.2288 MHz Channel Bandwidth @
±
2.5 MHz Offset. PAR = 9.8 dB @
0.01% Probability on CCDF.
Power Gain
G
ps
η
D
13.5
14.5
—
dB
Drain Efficiency
24
25.8
—
%
Intermodulation Distortion
IM3
—
-37
-35
dBc
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
—
-51
-48
dBc
Input Return Loss
IRL
—
-14.5
-9
dB
1. Part is internally matched both on input and output.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S19130HR3 Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.
MRF5S19130SR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19130R3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19130HSR3 Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.
MRF5S21045NR1 RF Power Field Effect Transistors
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參數(shù)描述
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MRF5S19090LR3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
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