參數(shù)資料
型號： MRF5P20180HR6
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 11/12頁
文件大?。?/td> 365K
代理商： MRF5P20180HR6
MRF5P20180HR6
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 375D-05
ISSUE D
NI-1230
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
4. RECOMMENDED BOLT CENTER DIMENSION OF
1.52 (38.61) BASED ON M3 SCREW.
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. GATE
4. GATE
5. SOURCE
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
M
MIN
1.615
0.395
0.150
0.455
0.062
0.004
1.400 BSC
0.082
0.117
0.540 BSC
1.219
MAX
1.625
0.405
0.200
0.465
0.066
0.007
MIN
41.02
10.03
3.81
11.56
1.57
0.10
35.56 BSC
2.08
2.97
13.72 BSC
30.96
MAX
41.28
10.29
5.08
11.81
1.68
0.18
MILLIMETERS
INCHES
0.090
0.137
2.29
3.48
N
Q
R
S
1.218
0.120
0.355
0.365
0.013 REF
0.010 REF
0.020 REF
1.242
0.130
0.365
0.375
30.94
3.05
9.01
9.27
31.55
3.30
9.27
9.53
A
G
L
D
K
4X
Q
2X
1
2
4
3
1.241
31.52
aaa
bbb
ccc
0.33 REF
0.25 REF
0.51 REF
SEATING
PLANE
N
C
E
M
M
A
M
aaa
B
M
T
B
B
(FLANGE)
H
F
M
A
M
ccc
B
M
T
R
(LID)
S
(INSULATOR)
M
A
M
bbb
B
M
T
4X
A
T
M
A
M
bbb
B
M
T
(INSULATOR)
M
A
M
ccc
B
M
T
(LID)
PIN 5
M
A
M
bbb
B
M
T
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5P20180R6 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF5P20180 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF5P21045NR1 RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF5S19060MBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S19090HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5P20180HR6_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF5P20180R6 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF5P21045NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 2170MHZ 10W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5P21180 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF5P21180HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*