- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359217 > MRF5P20180HR6 (飛思卡爾半導體(中國)有限公司) RF Power Field Effect Transistor PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MRF5P20180HR6 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistor |
| 中文描述： | RF功率場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 10/12頁 |
| 文件大小： | 365K |
| 代理商： | MRF5P20180HR6 |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5P20180HR6
NOTES
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5P20180R6 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MRF5P20180 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MRF5P21045NR1 | RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF5S19060MBR1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF5S19090HR3 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF5P20180HR6_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF5P20180R6 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MRF5P21045NR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 2170MHZ 10W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF5P21180 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF5P21180HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。