參數(shù)資料
型號: MRF5811LT1
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: LOW NOISE HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON
中文描述: UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-143
封裝: SOT-143, 4 PIN
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大?。?/td> 155K
代理商: MRF5811LT1
7
MRF5811LT1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
(Volts)
IC
(mA)
f
(GHz)
S11
S21
S12
S22
VCE
|S11|
0.710
0.735
0.741
0.742
0.737
0.737
0.739
0.740
0.739
0.740
0.742
0.747
0.757
0.766
0.778
0.791
0.793
0.803
φ
|S21|
22.99
12.49
8.49
6.42
5.16
4.32
3.72
3.27
2.92
2.64
1.80
1.38
1.12
0.95
0.82
0.73
0.66
0.60
φ
|S12|
0.033
0.039
0.044
0.050
0.056
0.062
0.069
0.076
0.083
0.090
0.125
0.160
0.191
0.224
0.254
0.284
0.315
0.342
φ
|S22|
0.505
0.367
0.33
0.317
0.295
0.294
0.295
0.297
0.298
0.302
0.322
0.349
0.392
0.42
0.448
0.479
0.504
0.536
φ
6.0
75
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
3.50
4.00
4.50
5.00
–135
–159
–169
–175
180
176
173
170
167
164
152
140
129
119
109
100
92
84
114
98
90
85
82
78
74
71
68
65
50
37
25
15
5
–3
–9
–15
39
37
40
44
48
50
52
53
54
54
53
50
47
42
36
31
26
20
–93
–123
–137
–145
–153
–156
–158
–160
–161
–162
–166
–169
–171
–176
180
173
167
160
100
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
3.50
4.00
4.50
5.00
0.718
0.740
0.745
0.746
0.741
0.741
0.743
0.744
0.743
0.744
0.745
0.750
0.760
0.769
0.781
0.793
0.794
0.804
–138
–161
–170
–176
179
175
172
169
166
164
151
140
129
118
109
100
91
84
22.70
12.22
8.28
6.25
5.03
4.21
3.62
3.19
2.84
2.57
1.75
1.35
1.09
0.93
0.80
0.71
0.64
0.58
112
97
90
84
81
77
74
70
67
64
49
36
25
14
5
–3
–9
–15
0.032
0.038
0.043
0.049
0.055
0.062
0.069
0.076
0.083
0.090
0.126
0.160
0.192
0.224
0.255
0.284
0.316
0.342
38
37
41
45
49
51
53
54
54
55
54
51
47
42
37
31
26
20
0.481
0.354
0.321
0.309
0.29
0.289
0.29
0.293
0.294
0.298
0.318
0.347
0.39
0.418
0.447
0.478
0.502
0.534
–96
–126
–140
–147
–154
–157
–159
–161
–162
–163
–166
–169
–171
–175
180
173
167
160
Table 2. Common Emitter S–Parameters (continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S19090LR3 1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF5S19090LSR3 1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF5S21130 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21130R3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21130S The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5812 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MRF5812G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF5812G - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
MRF5812GR1 功能描述:TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
MRF5812GR2 功能描述:TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
MRF5812LF 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel