參數(shù)資料
型號: MRF5811LT1
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: LOW NOISE HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON
中文描述: UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-143
封裝: SOT-143, 4 PIN
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大?。?/td> 155K
代理商: MRF5811LT1
5
MRF5811LT1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
(Volts)
IC
(mA)
f
(GHz)
S11
S21
S12
S22
VCE
|S11|
0.734
0.765
0.771
0.773
0.768
0.768
0.769
0.771
0.770
0.771
0.773
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0.786
0.793
0.803
0.812
0.811
0.816
φ
|S21|
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4.98
4.01
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2.89
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2.27
2.06
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0.58
0.53
0.50
φ
|S12|
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0.355
φ
|S22|
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0.319
0.321
0.325
0.329
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φ
3.0
25
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0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
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4
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–7
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46
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35
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162
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7
0
–6
–12
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–169
–170
–172
–176
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173
168
162
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0.773
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8
1
–5
–11
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35
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176
174
169
165
158
153
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Table 2. Common Emitter S–Parameters
相關PDF資料
PDF描述
MRF5S19090LR3 1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF5S19090LSR3 1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF5S21130 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21130R3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21130S The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5812 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MRF5812G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF5812G - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
MRF5812GR1 功能描述:TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
MRF5812GR2 功能描述:TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
MRF5812LF 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel