參數(shù)資料
型號： MRF5811LT1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： LOW NOISE HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-143
封裝： SOT-143, 4 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 155K
代理商： MRF5811LT1
MRF5811LT1
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
26
24
22
20
18
16
14
12
10
0
0.1
f, FREQUENCY (GHz)
M
Figure 6. MSG — Maximum Stable Gain,
MAG — Maximum Available Gain versus Frequency
G
Figure 7. Minimum Noise Figure and Gain @
Minimum Noise Figure versus Frequency
8
6
4
2
0.2
0.3
0.5
0.7
1
2
3
VCE = 6 Vdc
IC = 50 mA
MSG
MAG
26
24
22
20
18
16
14
12
10
0
0.1
f, FREQUENCY (GHz)
8
6
4
2
0.2
0.3
0.5
0.7
1
2
3
VCE = 6 Vdc
IC = 50 mA
GNF
NFmin
N
4
3
2
1
G
Figure 8. Noise Figure and Gain @ Minimum
Noise Figure versus Collector Current
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
20
18
16
14
12
10
8
10
20
30
40
50
60
100
N
3
2.5
2
1.5
1
70
80
90
VCE = 6 Vdc
f = 500 MHz
Γ
S =
Γ
OPTIMUM
GNF
NF
VCE (Vdc)
6.0
IC (mA)
10
f (MHz)
NFmin (dB)
1.64
2.81
|Gam Opt|
< Gam Opt
Rn
500
1000
0.49
0.68
–
164
–173
3.5
3.5
50
500
1000
2.0
2.85
0.51
0.61
–
177
–168
3.9
4.7
Table 1. Common Emitter Noise Parameters
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PDF描述
MRF5S19090LR3 1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF5S19090LSR3 1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
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MRF5S21130R3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21130S The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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MRF5812LF 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
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