參數(shù)資料
型號: MRF577T1
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: The RF Small Signal Line NPN Silicon High-Frequency Transistor
中文描述: L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, SOT-323
封裝: SC-70, SOT-323, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/12頁
文件大?。?/td> 122K
代理商: MRF577T1
5
MRF577T1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
VCE
(Volts)
IC
(mA)
f
(MHz)
NFmin
(dB)
|
Γ
o|
Γ
o
RN
3.0
3.0
300
500
900
1000
1500
2000
0.81
1.05
1.51
1.62
2.11
2.55
0.44
0.43
0.46
0.47
0.56
0.69
57
88
138
149
–173
–157
10
9
6
6
4
6
5.0
300
500
900
1000
1500
2000
0.86
1.03
1.40
1.50
1.89
2.29
0.33
0.34
0.40
0.42
0.52
0.65
58
88
139
149
–173
–157
8
8
6
5
4
6
6.0
3.0
300
500
900
1000
1500
2000
0.81
1.07
1.56
1.70
2.23
2.72
0.45
0.44
0.44
0.45
0.53
0.67
50
81
132
142
–177
–158
11
11
8
7
5
6
5.0
300
500
900
1000
1500
2000
0.85
1.04
1.42
1.52
2.00
2.43
0.37
0.37
0.39
0.40
0.50
0.65
50
80
130
141
–179
–159
10
9
7
6
5
6
10
300
500
900
1000
1500
2000
1.02
1.15
1.42
1.50
1.85
2.25
0.24
0.26
0.33
0.35
0.47
0.61
52
82
131
142
–179
–159
9
9
7
6
5
5
Table 1. MRF577T1 Common Emitter Noise Parameters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5811LT1 LOW NOISE HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON
MRF5S19090LR3 1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF5S19090LSR3 1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF5S21130 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21130R3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF581 功能描述:射頻放大器 RF Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MRF581_08 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF5811LT1 制造商:Motorola Inc 功能描述:UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-143
MRF5812 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MRF5812G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF5812G - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT