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參數(shù)資料
| 型號： | MRF373 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 360B-04, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 250K |
| 代理商： | MRF373 |
MRF373 MRF373S
6
MOTOROLA WIRELESS SEMICONDUCTOR
SOLUTIONS – RF AND IF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS FOR MRF373 IN SINGLE–ENDED FIXTURE
120
VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
0
0
20
40
60
10
50
C
100
80
30
20
40
Ciss
Coss
Crss
Figure 7. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (dBm
13
16
Figure 8. Performance in Narrowband Circuit
6
800
860
f, FREQUENCY (MHz)
22
8
14
30
I
Figure 9. Capacitance versus Voltage
18
12
10
18
50
920
900
40
16
20
15
17
14
G
35
45
VDD = 28 V
f = 860 MHz
IDQ = 500 mA
400 mA
300 mA
200 mA
100 mA
50
57
55
51
58
56
53
η
,
54
52
G
880
840
820
IRL
η
Gp
VDD = 28 V
IDQ = 200 mA
Pout = 60 W (CW)
Table 1. Common Source S–Parameters (VDS = 28 V, ID = 2.0 A)
f
S11
S21
S12
S22
MHz
|S11|
0.921
0.922
0.924
0.926
0.929
0.932
0.936
0.940
0.945
0.951
0.957
φ
|S21|
2.23
1.95
1.70
1.49
1.31
1.16
1.03
0.93
0.84
0.78
0.72
φ
|S12|
0.009
0.009
0.010
0.011
0.013
0.015
0.017
0.019
0.021
0.023
0.025
φ
|S22|
0.824
0.832
0.841
0.851
0.860
0.870
0.881
0.892
0.904
0.917
0.929
φ
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
182
181
180
179
178
177
176
176
175
174
173
52
49
46
42
38
35
31
28
26
24
24
39
53
64
72
78
81
82
82
82
80
78
184
184
184
183
183
182
182
181
180
180
179
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF373S | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF587 | High-Frequency NPN Transistor(高頻率NPN晶體管) |
| MRF6401 | RF LINEAR POWER TRANSISTOR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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