參數(shù)資料
型號： MRF3095
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： MICROWAVE LINEAR POWER TRANSISTORS
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 65K
代理商： MRF3095
MRF3094 MRF3095
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 10 mA)
MRF3094, MRF3095
V(BR)CES
50
—
—
Vdc
Emitter Base Breakdown Voltage
(IE = 0.25 mA)
MRF3094, MRF3095
V(BR)EBO
3.5
—
—
Vdc
Collector Base Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mA)
MRF3094, MRF3095
V(BR)CBO
45
—
—
Vdc
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 10 mA)
MRF3094, MRF3095
V(BR)CEO
22
—
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 28 V)
MRF3094, MRF3095
ICBO
—
—
0.25
mAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(VCE = 5.0 V, IC = 100 mA)
MRF3094, MRF3095
hfe
20
35
120
—
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Output Capacitance
(VCB = 28 V, f = 1.0 MHz)
MRF3094, MRF3095
Cob
—
—
3.5
pF
Functional Tests
(VCE = 20 V, IC = 120 mA, Po = 0.5 W, f = 1.6 GHz)
(VCE = 20 V, IC = 120 mA, Po = 0.8 W, f = 1.6 GHz)
MRF3094
MRF3095
GPE
10.5
9.0
11.5
10
—
—
dB
Output Load Mismatch
(VCE = 20 V, IC = 120 mA, Po = 0.5 W,
f = 1.6 GHz, Load VSWR =
∞
:1)
(VCE = 20 V, IC = 120 mA, Po = 0.8 W,
f = 1.6 GHz, Load VSWR =
∞
:1)
MRF3094
MRF3095
ψ
No degradation in output power
Gain Linearity
(VCE = 20 V, IC = 120 mA, f = 1.6 GHz,
Po1 = 0.5 W, Po2 = 0.5 mW)
(VCE = 20 V, IC = 120 mA, f = 1.6 GHz,
Po1 = 0.8 W, Po2 = 0.8 mW)
MRF3094
MRF3095
LG
—
—
—
—
–0.2 to +1.0
–0.2 to +1.0
dB
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