參數(shù)資料
型號(hào)： MRF19085LR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 403K
代理商： MRF19085LR3
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
MRF19085LR3 MRF19085LSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests (In Freescale Test Fixture)
Two-Tone Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W PEP, IDQ = 850 mA, f = 1930 MHz and
1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
Gps
—
13
—
dB
Two-Tone Drain Efficiency
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W PEP, IDQ = 850 mA, f = 1930 MHz and
1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
η
—
36
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W PEP, IDQ = 850 mA, f = 1930 MHz and
1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
IMD
—
-31
—
dBc
Input Return Loss
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W PEP, IDQ = 850 mA, f = 1930 MHz and
1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
IRL
—
-12
—
dB
Pout, 1 dB Compression Point
(VDD = 26 Vdc, IDQ = 850 mA, f = 1990 MHz)
P1dB
—
90
—
W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF19085SR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF19085R3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF19120S 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF19125R3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF19125SR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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