參數(shù)資料
型號(hào)： MRF19085LR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 10/12頁(yè)
文件大?。?/td> 403K
代理商： MRF19085LR3
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
MRF19085LR3 MRF19085LSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
33
34
35
36
37
38
39
32
31
30
29
28
27
26
24.0
24.5
25.0
25.5
26.0
26.5
27.0
27.5
28.0
VDD, DRAIN SUPPLY (V)
Figure 9. Two-Tone Intermodulation Distortion and
Drain Efficiency versus Drain Supply
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
IMD,
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η
IDQ = 850 mA
f = 1960 MHz
100 kHz Tone Spacing
IMD
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
11.5
12.0
12.5
13.0
13.5
14.0
10
100
4
Figure 10. Two-Tone Power Gain versus Output
Power
Figure 11. Two-Tone Broadband Performance
10
15
20
25
30
35
40
35
30
25
20
15
10
5
1920
1930
1940
1950
1960
1970
1980
1990
2000
VDD = 26 Vdc
f = 1960 MHz
100 kHz Tone Spacing
IDQ = 1150 mA
1000 mA
850 mA
700 mA
550 mA
G
ps
,POWER
GAIN
(dB),
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η
IMD
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
IMD,
f, FREQUENCY (MHz)
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
IRL
Gps
VDD = 26 Vdc
Pout = 90 W (PEP)
IDQ = 850 mA
100 kHz Tone Spacing
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF19085SR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF19085R3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF19120S 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF19125R3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF19125SR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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MRF19085R3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
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