參數(shù)資料
型號(hào)： MRF18060BS
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CASE 465A-06, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 198K
代理商： MRF18060BS
7
MRF18060B MRF18060BS
MOTOROLA RF DEVICE DATA
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 465–04
ISSUE D
(MRF18060B)
–A–
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 465–01, –02 AND –03 OBSOLETE, NEW
STANDARD 465–04.
4. DIMENSION H IS MEASURED 0.030” AWAY FROM
FLANGE.
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
K
N
Q
R
MIN
1.335
0.380
0.125
0.495
0.035
0.003
1.100 BSC
0.055
0.170
0.772
0.118
0.365
MAX
1.345
0.390
0.170
0.505
0.045
0.006
MIN
33.91
9.65
3.18
12.57
0.89
0.08
27.94 BSC
1.40
4.32
19.60
3.00
9.27
MAX
34.16
9.91
4.32
12.83
1.14
0.15
MILLIMETERS
INCHES
0.065
0.210
0.788
0.138
0.375
1.65
5.33
20.00
3.51
9.53
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
–B–
1
3
SEATING
2
–T–
D
G
K
N
M
A
M
0.38 (0.015)
B
M
T
M
A
M
0.25 (0.010)
B
M
T
C
E
H
Q
2 PL
M
A
M
0.38 (0.015)
B
M
T
R
F
CASE 465A–04
ISSUE D
(MRF18060BS)
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030” AWAY FROM
FLANGE.
DIM
A
B
C
D
E
F
H
K
N
R
S
U
MIN
0.805
0.380
0.125
0.495
0.035
0.003
0.055
0.170
0.775
0.365
0.020 REF
0.030 REF
MAX
0.815
0.390
0.170
0.505
0.045
0.006
0.065
0.210
0.785
0.375
MIN
20.45
9.65
3.18
12.57
0.89
0.08
1.40
4.32
19.69
9.27
MAX
20.70
9.91
4.32
12.83
1.14
0.15
1.65
5.33
19.94
9.53
MILLIMETERS
INCHES
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
4. SOURCE
–A–
–B–
1
SEATING
2
–T–
D
K
N
M
A
M
0.64 (0.025)
B
M
T
C
E
H
M
A
M
0.38 (0.015)
B
M
T
R
F
3
U
RADIUS
4 PL
S
RADIUS
0.51 REF
0.76 REF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF18090A RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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MRF18085A 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF18085ALR3 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF18085ALSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF POWER LDMOS NI-780LS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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