參數(shù)資料
型號： MRF18030BLR3
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 357K
代理商： MRF18030BLR3
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF18030BLR3 MRF18030BLSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 3. Wideband Gain and IRL at 30 W and
15 W Output Power
Figure 4. Output Power versus Frequency
Figure 5. Power Gain versus Output Power
Figure 6. Power Gain versus Output Power
Figure 7. Power Gain versus Output Power
Figure 8. Power Gain and Efficiency versus
Output Power
I
I
10
1850
30
IRL@30W
G
ps
@15W
V
DD
=26Vdc
I
DQ
=250mA
T=25 C
f,FREQUENCY(MHz)
Gp
G
ps
@30W
IRL@15W
11
25
12
20
13
15
14
10
15
5
16
0
1900
1950
2000
2050
f,FREQUENCY(MHz)
2020
0
40
1880
P
in
=2W
V
DD
=26Vdc
I
DQ
=250mA
T=25 C
1W
0.5W
0.25W
5
10
15
20
25
30
35
1900
1920
1940
1960
1980
2000
Po
100
16
0.1
P
out
,OUTPUTPOWER(WATTS)
Gp
I
DQ
=400mA
300mA
V
DD
=26Vdc
f=1960MHz
T=25 C
200mA
100mA
15
14
13
12
11
10
1
10
85 C
100
15
0.1
T=25 C
V
DD
=26Vdc
I
DQ
=250mA
f=1960MHz
P
out
,OUTPUTPOWER(WATTS)
Gp
55 C
14
13
12
11
10
9
1
10
0
100
16
0.1
G
ps
V
DD
=26Vdc
I
DQ
=250mA
f=1960MHz
T=25 C
P
out
,OUTPUTPOWER(WATTS)
Gp
15
14
13
12
11
10
50
40
30
20
10
60
1
10
,
η
100
15
V
DD
=22V
24V
I
DQ
=250mA
f=1960MHz
T=25 C
P
out
,OUTPUTPOWER(WATTS)
Gp
28V
26V
30V
14
13
12
11
10
1
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF18090BR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF21120R6 RF Power Field Effect Transistor
MRF377HR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF377 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF377R5 Pressure Transducer, Series 19 mm, Uncompensated, Pressure Range: 0 psi to 10 psi, Gage, flush mount with flange, 10 Vdc excitation
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參數(shù)描述
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MRF18030BR3 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERAL MOSFETS
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