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參數(shù)資料
| 型號： | MRF1570FT1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors |
| 中文描述： | 射頻功率場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/20頁 |
| 文件大小： | 449K |
| 代理商： | MRF1570FT1 |
A
A
MRF1570T1 MRF1570FT1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS, 135 - 175 MHz
90
12
18
10
P
out
,OUTPUTPOWER(WATTS)
Figure 5. Gain versus Output Power
Gp
20
30
40
50
60
70
80
135 MHz
175 MHz
155 MHz
V
DD
= 12.5 Vdc
17
16
15
14
13
90
20
70
10
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 6. Drain Efficiency versus Output Power
,
η
60
50
40
30
20
30
40
50
60
70
80
135 MHz
175 MHz
155 MHz
V
DD
= 12.5 Vdc
1600
50
90
400
I
DQ
, BIASING CURRENT (mA)
Figure 7. Output Power versus Biasing Current
Po
135 MHz
175 MHz
155 MHz
V
DD
= 12.5 Vdc
P
in
= 36 dBm
80
70
60
600
800
1400
1200
1000
0
400
100
I
DQ
, BIASING CURRENT (mA)
Figure 8. Drain Efficiency versus Biasing Current
,
η
1600
135 MHz
175 MHz
155 MHz
V
DD
= 12.5 Vdc
P
in
= 36 dBm
600
800
1400
1200
1000
80
60
40
20
15
0
10
100
V
DD
, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Output Power versus Supply Voltage
Po
135 MHz
175 MHz
155 MHz
P
in
= 36 dBm
I
DQ
= 800 mA
80
60
40
20
14
13
12
11
15
0
100
10
V
DD
, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Drain Efficiency versus Supply Voltage
η
80
60
40
20
135 MHz
175 MHz
155 MHz
P
in
= 36 dBm
I
DQ
= 800 mA
11
12
13
14
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MRF1570NT1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS TO272-6N FORMED RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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