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參數(shù)資料
| 型號： | MRF1570FT1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors |
| 中文描述： | 射頻功率場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 18/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 449K |
| 代理商： | MRF1570FT1 |
18
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1570T1 MRF1570FT1
PACKAGE DIMENSIONS
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION:INCH.
2. INTERPRETDIMENSIONSANDTOLERANCES
PERASMEY14.5M,1994.
3. DATUMPLANEHISLOCATEDATTOPOFLEAD
ANDISCOINCIDENTWITHTHELEADWHERE
THELEADEXITSTHEPLASTICBODYATTHE
TOPOFTHEPARTINGLINE.
4. DIMENSION D AND E1 DO NOT INCLUDE MOLD
PROTRUSION.ALLOWABLEPROTRUSIONIS
0.006PERSIDE.DIMENSIONDANDE1DO
INCLUDEMOLDMISMATCHANDARE
DETERMINEDATDATUMPLANEH.
5. DIMENSIONS b1 AND b2 DO NOT INCLUDE
DAMBARPROTRUSION.ALLOWABLEDAMBAR
PROTRUSIONSHALLBE0.005TOTALINEXCESS
OFTHEb1ANDb2DIMENSIONSATMAXIMUM
MATERIALCONDITION.
6. CROSSHATCHINGREPRESENTSTHEEXPOSED
AREAOFTHEHEATSLUG.
L
A1
c1
D
C
A
A
M
aaa
D
SEATING
PLANE
SEATING
PLANE
B
E1
P
D A
e
4X
D
4X
b2
aaa
D1
B
M
D B
M
aaa
E
Y
Y
A2
DIM
A
A1
A2
D
D1
D2
MIN
0.098
0.000
0.100
0.928
0.810BSC
0.608BSC
MAX
0.108
0.004
0.104
0.932
MIN
2.49
0.00
2.54
23.57
20.57BSC
15.44BSC
MAX
2.74
0.10
2.64
23.67
MILLIMETERS
INCHES
E
E1
E2
E3
0.296
0.248
0.170BSC
0.241
0.304
0.252
7.52
6.30
4.32BSC
6.12
7.72
6.40
L
P
0.060
0.126
0.070
0.134
1.52
3.20
1.78
3.40
b1
b2
b3
0.088
0.066
0.067
0.094
0.072
0.073
2.24
1.68
1.70
2.39
1.83
1.85
c1
e
e1
0.007
0.104BSC
0.210BSC
0.011
0.178
0.279
0
6
0
6
aaa
bbb
1
2
3
5
6
7
0.004
0.008
2.64BSC
5.33BSC
0.10
0.20
4X
b1
H
DATUM
PLANE
4
2
1
6
5
7
VIEW Y-Y
3
8
bbb C
E2
D2
A
DRAIN ID
B
4
8
B
2X
e1
2X
b3
(b1)
STYLE1:
PIN1. SOURCE(COMMON)
2. DRAIN
3. DRAIN
4. SOURCE (COMMON)
5. SOURCE (COMMON)
6. GATE
7. GATE
8. SOURCE (COMMON)
NOTE 6
E3
E3
0.245
6.22
CASE 1366-04
ISSUE D
TO-272-8 WRAP
PLASTIC
MRF1570T1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF1570NT1 | RF Power Field Effect Transistors |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF1570N | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF1570NT1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS TO272-6N FORMED RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF1570NT1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF1570T1 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
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