參數(shù)資料
型號(hào)： MRF1550FNT1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 7/13頁
文件大小： 299K
代理商： MRF1550FNT1
MRF1550NT1 MRF1550FNT1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Common Source Scattering Parameters (V
DD
= 12.5 Vdc)
I
DQ
= 500 mA
f
S
11
S
21
S
12
S
22
MHz
|S
11
|
∠ φ
|S
21
|
∠ φ
|S
12
|
∠ φ
|S
22
|
∠ φ
50
0.93
-178
4.817
80
0.009
-39
0.86
-176
100
0.94
-178
2.212
69
0.009
-3
0.88
-175
150
0.95
-178
1.349
61
0.008
-8
0.90
-174
200
0.95
-178
0.892
54
0.006
-13
0.92
-174
250
0.96
-178
0.648
51
0.005
-7
0.93
-174
300
0.97
-178
0.481
47
0.004
-8
0.95
-174
350
0.97
-178
0.370
46
0.005
4
0.95
-174
400
0.98
-178
0.304
43
0.001
15
0.97
-174
450
0.98
-178
0.245
43
0.005
81
0.97
-174
500
0.98
-178
0.209
43
0.003
84
0.97
-174
550
0.99
-177
0.178
41
0.007
70
0.98
-175
600
0.98
-178
0.149
41
0.010
106
0.96
-175
I
DQ
= 2.0 mA
S
21
∠ φ
f
S
11
S
12
S
22
MHz
|S
11
|
∠ φ
|S
21
|
|S
12
|
∠ φ
|S
22
|
∠ φ
50
0.93
-177
4.81
80
0.003
-119
0.93
-178
100
0.94
-178
2.20
69
0.006
4
0.93
-178
150
0.95
-178
1.35
61
0.003
-1
0.93
-177
200
0.95
-178
0.89
54
0.004
18
0.93
-176
250
0.96
-178
0.65
51
0.001
28
0.94
-176
300
0.97
-178
0.48
47
0.004
77
0.94
-175
350
0.97
-178
0.37
46
0.006
85
0.95
-175
400
0.98
-178
0.30
43
0.007
53
0.96
-174
450
0.98
-178
0.25
43
0.006
74
0.97
-174
500
0.98
-177
0.21
44
0.006
84
0.97
-174
550
0.99
-177
0.18
41
0.002
106
0.97
-175
600
0.98
-178
0.15
41
0.004
116
0.96
-174
I
DQ
= 4.0 mA
S
21
∠ φ
f
S
11
S
12
S
22
MHz
|S
11
|
∠ φ
|S
21
|
|S
12
|
∠ φ
|S
22
|
∠ φ
50
0.97
-179
5.04
87
0.002
-116
0.94
-179
100
0.96
-179
2.43
82
0.006
42
0.94
-178
150
0.96
-179
1.60
77
0.004
13
0.94
-177
200
0.96
-179
1.14
74
0.003
43
0.95
-176
250
0.97
-179
0.89
71
0.004
65
0.95
-175
300
0.97
-179
0.71
68
0.006
68
0.95
-175
350
0.97
-179
0.57
67
0.006
74
0.97
-174
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